Foto: Facebook
Špecialisti Moskovského fyzikálneho a technického inštitútu, Inštitútu rádiotechniky a elektroniky V. A. Koteľnikova Ruskej akadémie vied s podporou Medzinárodného asociovaného laboratória LIA LICS vytvorili nový typ operačnej pamäte MELRAM (magnetoelectric RAM). Oznámil to „overclockers“ s odvolávkou sa na „Applied Physics Letters“.
Hovorí sa, že MELRAM v perspektíve dokáže nahradiť operačnú pamäť typu DRAM. K jeho prednostiam patrí omnoho jednoduchšia štruktúra, nízka potreba energie a malé rozmery. Elektrická spotreba je vraj niekoľko tisíckrát nižšia ako existujúce analógie.
Základným elementom nového typu pamäte je piezoelektrický materiál, ktorý je v prípade deformácie spôsobilý vydávať napätie a deformovať sa v prípade výdaja napätie. Pamäťový element MELRAM pozostáva zo zliatiny terbia a kobaltu.
Podľa finobzor.ru, srspol.sk
0 komentárov
Zatiaľ tu nie sú žiadne komentáre.